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非晶退火爐

2021-06-29 17:04:08
詳細介紹:

非晶退火爐


半導體芯片在經過離子注入以后就需要退火。因為往半導體中注入雜質離子時,能量的入射離子會與半導體晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子發生位移,結果造成大量的空位,將使得注入區中的原子排列混亂或者變成為非晶區,所以在離子注入以后需要把半導體放在某個的溫度下進行退火,以恢復晶體的結構和去掉缺陷。同時,退火還有激活施主和受主雜質的功能,即把有些處于間隙位置的雜質原子通過退火而讓它們進入替代位置。退火的溫度一般為200~800C,比熱擴散摻雜的溫度要低得多。

 

工件在加熱的過程中,把爐體前移,爐體為加熱體,加熱完成后,爐體后移,露出爐膽,快速冷即工件。也可以自備風機,鼓風加快冷即速度,爐膽口爐膽口有一個固定手拉式密封爐門,爐膽口做有水循環冷即,保護爐門硅膠盤根,抽真空與進氣管道分布在爐膽口位置,具體操作按用戶要求設計真空度。

 


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